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v 應用領域：Pillar，Bump，RDL，TSV等工藝
v 晶圓尺寸：150mm~300mm
v 設備配置：
? 最多3個loadport
? 最多24個電鍍腔體：Cu、Ni、Sn/Ag、Au
? 最多4個預濕腔體，4個清洗腔體
? 水平式電鍍腔體，無交叉污染
? 支持模塊化維護，提高設備正常運行時間
? 橡膠密封技術，更佳密封性能
? 陰陽極分離技術，更佳鍍液穩(wěn)定性
v 工藝指標：
v 高度均勻性：WiW≤5% WtW≤5% RtR≤5%
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